若要迅速成為業界優先選擇的技客製化螢幕術，低洩漏電流和高電源效率非常重要，韓國代工廠的0。13微米節點特殊嵌入式快閃記憶體製程是實現高性能微控制器單元(MCU)晶片的理想之選。
東 部高科行銷執行副總裁Jae Song表示：「當前的目標是拓展與智慧型手機市場多家無生產線設計客戶的合作，預計本的嵌入式快閃記憶體製程將得到有效利用，生產用於平板電腦的TSC 晶片以及MCU單片。」他指出，本相對較新的嵌入式快閃記憶體製程提供極高的資料保留率和抗干擾性能，這歸功於在過去十年中生產編碼型(NOR)快閃記憶大尺吋觸控螢幕體晶片所累積的豐富經驗。
嵌 入式快閃記憶體設計優點東部高科的先進嵌入式快閃記憶體製程相容低壓邏輯電路，同時適用於核心和I/O，工作電壓1。5V/3。3V（或可選8V /18V），並且具有待機洩漏電流低的特點，洩漏電流通常為1μA。各種嵌入式快閃記憶體Macro IP（免費提供）支援16、32、64、128和256KB的非揮發性儲存密度。憑藉可減少測試時間的內建測試模式、穩定的macro IP以及可選銅線焊接，在芯片開發過程中進一步降低成本。
TSC和MCU市場商機根據Gartner預測，中、低階 手機市場（通常銷售100美元至300美元的手機）將大幅成長，今年銷售量大約6。5億台，預計2017年銷售量將突破9。2億台，這意味著年複合成長率 (CAGR)將超過12%。同時，iSuppli看到智慧型手機和平板電腦TSC晶片的市場商機，TSC晶片市場預計2014年到觸控螢幕2016年將保持相當穩定的銷售額（約16億美元），而MCU晶片市場銷售額將從今年的160億美元左右成長至2016年的180億美元左右，年複合成長率約為6%。
東 部高科株式會社(Dongbu HiTek Co。， Ltd。)專注於開發優質類比與溷合訊號處理技術。該透過加工組合為先進積體電路(IC)帶來高價值，該組合包括類比CMOS、BCDMOS、高壓 CMOS、CMOS功率放大器(PA)、CMOS影像感測器(CIS)、顯示驅動積體電路(DDI)、觸控式螢幕控制器積體電路與嵌入式快閃記憶體 (Embedded Flash)技術。東部高科借助同級最佳的BCDMOS技術，生產用於多種電源管理晶片，包括家用與手持式電子設備、汽車及工業系統芯片。該目前可提供 0。35微米到90奈米的晶片代工製程，其頂級代工能力與一流的設計支援、原型驗證和封裝/模組開發能力相輔相成。
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